MEMS加工

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刻蚀
  • 碱性腐蚀
    KOH,TMAH
  • 酸性腐蚀
    HF,BOE,HCI,HNO3等
  • 光刻胶剥离
    Acetone,IPA
  • 电感耦合等离子刻蚀
    GaN,GaAs,InP
  • 深硅刻蚀DRIE
    刻蚀均匀性<±5%,选择比>50:1
  • 深氧化硅刻蚀
    石英,玻璃,硅,刻蚀形貌:90°±1°
  • 离子束刻蚀
    用于较难刻蚀的金属或其他物质
  • 反应离子刻蚀
    Si,SiO₂,SiNx
  • 灰化
    光刻胶,聚合物


案例展示


                         

          RIE of InP waveguide 7um polyimide                BOSCH工艺                   Deep Si etch SOI Notch Free                  SOI Notch Free      





微流控芯片的制作技术(一)
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2023-08-22

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传感器的功能
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2023-08-21

通常将传感器的功能与人类的五大感觉器官相比拟: 光敏传感器——视觉 声敏传感器——听觉 气敏传感器——嗅觉 化学传感器——味觉 压敏、温敏、流体传...

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等离子体刻蚀面临的挑战
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2023-08-21

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离子注入与传统热扩散工艺区别
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离子注入工艺是集成电路制造的主要工艺之一,它是指将离子束加速到一定能量(一般在keV 至Mev 量级范围内),然后注入固体材料表层内,以改变材料表层...

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