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MEMS加工

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光刻
  • 接触式光刻
    最小图形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm
  • 步进式光刻
    投影比例1:5，最小图形尺寸：0.35μm 套刻精度≤0.15μm(X,Y)，曝光范围<22.5*22.5mm
  • 电子束光刻
    最小图形尺寸：10nm，套刻精度：40nm 曝光范围<直径75mm
  • 双面对准光刻
    最小图形尺寸：1μm，正面套刻精度：±0.5μm 背面套刻精度：±0.5μm
  • 匀胶/显影
    正胶：50nm~20μm，负胶：50~400nm
  • 喷胶
    单次厚度<2μm
  • 热板/烘箱
    热板温度<180℃，烘箱温度<350℃




案例展示


                                    

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